设锗中施主杂质的电离能ΔE_D=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。

本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题： 
（1）设N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1时， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm^-3）各是多少？
（2）半导体的电导率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示为，式中n为载流子浓度（cm^-3），e为载流子电荷（电荷1.6×10^-19C），μ为迁移率（cm².V^-1.s^-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，
假定Si的迁移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率。