下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。

A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点
C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少
D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应，所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中