多项选择题

电场引起的晶体折射率的变化可以表示为以下对式中等号后面第二的描述中正确的是（）。

A.表示不加电场时晶体的折射率
B.电场的一次项所引起的晶体折射率变化效应
C.一次电光效应
D.线性电光效应

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相关考题

单项选择题

在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（）。

A.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。
B.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。
C.为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。
D.为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。

单项选择题

以下有关电光调制实验中光学系统构建中，正确的光电元件摆放顺序是（）。

A.半导体激光器、起偏器、电光晶体、1/4波片、检偏器、光电探测器
B.半导体激光器、起偏器、1/4波片、电光晶体、检偏器、光电探测器
C.半导体激光器、起偏器、电光晶体、检偏器、1/4波片、光电探测器
D.半导体激光器、1/4波片、起偏器、电光晶体、检偏器、光电探测器

判断题

根据阿贝成像理论，如果在付氏面上放置一个孔径非常小的光阑，使得只有0级衍射能通过，则在像平面上虽然有光照，但不能形成图像。