判断题
错误
A.可测量几个微秒的寿命 B.测量准确度高 C.测量下限较低 D.测量电阻率的下限也较低
A.测量下限较高 B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求 C.要求制备符合一定要求的欧姆接触 D.仪器线路比较复杂
A.两探针法 B.四探针法 C.范德堡法 D.扩展电阻法
A.电极电位 B.腐蚀液的成分 C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响 D.缓冲剂的影响
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
A.扩散长度法 B.光电导衰退法 C.光脉冲法 D.光磁法
A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化 B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜 C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D.样品的厚度必须大于3倍针距
A.直接法 B.瞬态法 C.稳态法 D.间接法
A.单探针点接触整流法 B.冷热探笔法 C.三探针法 D.冷探笔法
A.样品较少受到污染 B.测量时不必制作欧姆电极 C.样品无需切割成一定的几何形状 D.应用广泛
A.仪器线路比较复杂 B.依靠电容耦合 C.干扰比较大 D.测试方法比较简单
A.控制氙灯的闪光电压 B.加滤光片 C.加热硅单晶 D.加光阑
A.晶体管的放大倍数 B.开关管的开关时间 C.太阳能电池的光电转换效率 D.太阳能电池的填充因子
A.微观缺陷 B.宏观缺陷 C.表面机械损伤 D.点阵应变
A.点缺陷 B.层错 C.杂质沉淀 D.位错
A.星型结构 B.杂质析出 C.系属结构 D.点缺陷
