设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_v（k）分别为：

试求：
1）禁带宽度；
2）导带底电子有效质量；
3）价带顶电子有效质量；
4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

温度为300K时本征硅的电子浓度1.5×10¹⁰cm^-3，电子和空穴迁移率分别为1350cm²/V·S和500cm²/V·S。
1）计算硅的本征电导率。
2）硅的原子密度为5.00×10²²/cm³。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征硅的电导率增大了多少倍？
3）若该样品所加的电场强度为1.34V/cm，试求流过该样品的电流密度是多少？