单项选择题

‌以下对于晶体生长描述正确的是（）

A.晶体生长是平衡过程。
B.晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C.晶体的原子最密排面表面能最低。
D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。

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单项选择题

A.半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B.第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C.在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D.目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300mm的生产线

单项选择题

A.光生伏特效应
B.电致发光特性
C.高纯特性
D.高完整特性

单项选择题

A.电子空穴导电
B.电阻率随温度的增加而增加
C.构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过

‌以下对于晶体生长描述正确的是​（）