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单项选择题
Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。
A.中性杂质
B.受主
C.施主
D.两性杂质
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单项选择题
随温度升高，Si的禁带宽度（）。
A.增加
B.减小
C.不清楚
D.不变
单项选择题
室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。
A.6
B.8
C.4
D.2
单项选择题
室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。
A.3
B.4
C.1
D.2
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