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试证明在小信号条件下,本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。
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问答题
假设Si中空穴浓度是线性分布,在4μm内的浓度差为2×10
16
cm
-3
,试计算空穴的扩散电流密度。
问答题
证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为
问答题
光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×10
21
cm
-3
s
-1
,样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。
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