单项选择题
A、冷却段 B、吸收段 C、结晶段 D、介稳区
A、小 B、相等 C、大 D、不用考虑此因素
A、低 B、高 C、不用刻意控制 D、先低后高
A、促进晶核生长 B、促进晶核生成 C、防止二次结晶 D、利于初次结晶
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