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单项选择题

‌对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）

A.Ec
B.位于EF以下，且很接近EF的能级
C.Ei
D.位于EF以上，且很接近EF的能级

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A.1/ni
B.1/△p
C.1/p0
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C.SiC
D.GaAs
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