欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 半导体芯片制造工 > 半导体制造技术

问答题

论述题

简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

【参考答案】

迪尔-格罗夫氧化模型可以很好地预测氧化层厚度,热氧化过程主要分为以下三个过程:(1)氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞留层......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)

点击查看答案
微信小程序免费搜题
微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题