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单项选择题

‍欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。

A.UGS＞UGS，off
B.UGS＞UGS，th
C.UGS＜UGS，off
D.UGS＜UGS，th

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单项选择题
掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。

A.多子
B.反向电流
C.载流子
D.反向电压
单项选择题
当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。

A.多子
B.热击穿
C.齐纳
D.雪崩
单项选择题
差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（）。

A.提高输入电阻
B.提高共模抑制比
C.提高差模电压增益
D.提高共模电压增益
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