欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 半导体物理

多项选择题

在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。

A.电离杂质散射为主
B.晶格散射为主
C.本征激发起主要作用
D.杂质完全电离

点击查看答案&解析
上一题 目录 下一题

相关考题

单项选择题
‍下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。

A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅
B.含硼2×1015cm-3、磷1×1015cm-3的硅
C.含硼2×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅
D.本征硅
单项选择题
‍对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V·s。

A.60
B.600
C.90
D.900
单项选择题
‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm2。

A.1.36
B.13.6
C.0.68
D.6.8
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题