某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔE_i为（）

A.9.55×10¹⁶个/秒
B.9.55×10¹⁹个/秒
C.2.87×10²⁵个/秒
D.2.87×10²²个/秒

A.0.38~0.78um
B.0.38~1um
C.1~3um
D.8~12um

A.辐射照度
B.辐射强度
C.辐射出度
D.辐射亮度

A.683lm
B.341.5lm
C.1276lm
D.638lm

A.阳光直射
B.阴天室外
C.工作台
D.晨昏蒙影

A.3nV
B.4nV
C.5nV
D.6nV

A.价带，导带
B.价带，禁带
C.禁带，导带
D.导带，价带

A.3.31lx
B.1.31lx
C.3.31lm
D.1.31lm

A.向短波方向移动
B.向长波方向移动
C.不移动
D.均有可能

A.内光电效应
B.外光电效应
C.光生伏特效应
D.丹培效应

A.本征吸收
B.杂质吸收
C.激子吸收
D.自由载流子吸收
E.晶格吸收

A.热噪声
B.散粒噪声
C.产生复合噪声
D.1/f噪声
E.温度噪声

A.曝光量
B.光通量
C.亮度
D.照度