本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

电路图中，C₁、C₃和C_E的容量足够大，晶体管的β＝50，r_bb’＝200Ω，V_BEQ＝0.7V，R_S＝2kΩ，R_B1＝25kΩ，R_B2＝5kΩ，R_C＝5kΩ，R_L＝5kΩ，R_E1＝1.7kΩ，R_E2＝300Ω，V_CC＝12V。计算：
（1）电路的静态工作点；
（2）电压放大倍数A_uS、输入电阻R_i和输出电阻R_O。

如图所示电路中，A为理想运放，V_cc＝16V，R_L＝8Ω，R₁＝10kΩ，R₂＝100kΩ，三极管的饱和管压降U_CES＝0V，U_o＝－10V。
（1）合理连接反馈电阻R₂；
（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P_om；
（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率P_CM值。

 电路如图所示，u²=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U_o的数值各为多少？
（1）正常情况时；
（2）电容虚焊时；
（3）R_L开路时；
（4）一只整流管和电容C同时开路时。