单项选择题
A.位移 B.速度 C.加速度 D.光强
A.半导体材料的霍尔常数比金属的大 B.半导体中电子迁移率比空穴高 C.半导体材料的电子迁移率比较大 D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
A.与单片相比,并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变 B.与单片相比,串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍 C.与单片相比,并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍 D.与单片相比,串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变
A.输入电荷 B.反馈电容 C.电缆电容 D.放大倍数
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