欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
半导体集成电路
搜题找答案
问答题
简答题
给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
请画出晶体管的I
D
—V
DS
特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。
问答题
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
问答题
什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
