欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子学
搜题找答案
问答题
简答题
列举出几种pn结的形成方法并说出平面工艺的特点
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
描述分立器件和集成电路的区别
问答题
解释说明自对准栅工艺流程，为什么当图形化尺寸小到0.18um时，使用钴硅化物取代钛硅化物？为什么当图形化尺寸小到65nm时，使用镍硅化物取代钴硅化物？
问答题
简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
