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单项选择题
光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。
A.对光刻精度较高
B.光刻图案密度较高
C.光刻的材料易于腐蚀
D.光刻的材料难以腐蚀
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单项选择题
在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
A.腐蚀
B.离子注入
C.光刻
D.CVD
判断题
提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
判断题
MBE只能用于III-V族化合物的生长。
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