单项选择题

关于“光注入”，以下说法错误的是（）

A.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
B.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

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单项选择题

A.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）
B.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）
C.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）
D.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）

单项选择题

关于强电离区，以下说法正确的是（）

A.本征激发的影响不可忽略
B.本征激发的影响可以忽略
C.载流子浓度随温度升高按指数规律变化
D.费米能级不随温度变化

多项选择题

关于“非简并半导体”，以下说法正确的是（）

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从费米分布函数
C.导带中的电子服从费米分布函数
D.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数