用CMOS管组合的两输入NAND门，若其中NMOS管的等效电阻为R_N，PMOS管的等效电阻为R_P，电容负载为C_L，则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为（）。

A.对于一个给定的反相器尺寸，当负载电容太小时，功耗主要来自短路电流
B.对于非常大的负载电容值，所有的功耗都用来充电和放电负载电容
C.使一个门的输入和输出上升时间相等可以得到最优的结果
D.短路电流功耗可以通过使输入和输出信号的上升/下降时间匹配来达到最小

A.t_p=0.69（R_eqn+R_eqp)C_L
B.t_p=0.69R_eqnC_L
C.t_p=0.69（R_eqn+R_eqp)C_L/2
D.t_p=0.69R_eqpC_L

A.降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗
B.降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感
C.降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声
D.降低电源电压的同时会使门的延时减小