单项选择题
A.多晶硅与衬底的功函数差B.氧化层厚度C.栅极电压D.衬底掺杂浓度
A.B.C.D.
A.功耗密度持续提高、散热无法解决B.计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长C.互连延时降低，互连能耗减小D.工艺复杂，成本降低难以持续
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