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单项选择题
NEMOSFET饱和区的工作条件为u
GS
（）V
t
，u
DS
（）u
GS
-V
t
。
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
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相关考题
单项选择题
MOSFET中的导电沟道是指其（）
A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层
判断题
齐纳二极管只能用作稳压用途。
判断题
只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。
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