单项选择题
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
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单项选择题
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
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