单项选择题
对于输出单元中的隔离环结构,说法不正确的是()。
A.隔离环中设计了良好的电源、地接触
B.防止触发CMOS结构的寄生可控硅效应烧毁电路
C.版图采用了多栅并联结构,源漏区的金属引线设计成叉指状结构
D.PMOS管的尺寸比NMOS管小,这样可使倒相器的输出波形对称
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单项选择题
对于输出单元中的隔离环结构,说法不正确的是()。
A.隔离环中设计了良好的电源、地接触
B.防止触发CMOS结构的寄生可控硅效应烧毁电路
C.版图采用了多栅并联结构,源漏区的金属引线设计成叉指状结构
D.PMOS管的尺寸比NMOS管小,这样可使倒相器的输出波形对称
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