计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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问答题

问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.04eV，施主杂质浓度分别为10¹⁵cm^-3及10¹⁸cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV，施主杂质浓度分别为N_D=10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。