单项选择题

下列关于二次再结晶说法错误的是（）。

A.引入大量结构缺陷
B.不利于烧结体的致密化
C.晶界的快速移动使大量气孔包括在晶粒内
D.使多晶材料的物化性能有显著性的提高

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单项选择题

A.原料粒度不均匀
B.烧结速率太快
C.烧结温度偏低
D.胚体成型时压力不均匀

单项选择题

A.晶粒生长与二次再结晶不是伴随烧结中、后期与传质过程同时发生的现象
B.二次再结晶是少数晶粒在正常的晶粒长大过程停止以后，以自身为核心，不断吞并周围小晶粒而异常长大的过程
C.晶粒生长速率或晶界的移动速度随温度指数规律增加，而与晶界面曲率半径成反比
D.二次再结晶的出现不利于烧结体的致密化

单项选择题

A.流动传质
B.扩散传质
C.塑性流动
D.蒸发—凝聚