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单项选择题

实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）

A.产生率等于复合率
B.产生率小于复合率
C.产生率大于复合率
D.存在净复合率

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单项选择题
下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）

A.小注入条件
B.突变耗尽层条件
C.耗尽层有载流子的产生与复合
D.玻尔兹曼边界条件
单项选择题
小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为r，则非平衡载流子的寿命为（）

A.1/（rn0）
B.1/（rp0）
C.1/（r△p）
D.1/（r△n）
单项选择题
已知半导体的费米能级位于禁带内，且距离导带底约1/3禁带宽度，则平衡电子浓度n0和空穴浓度p0的大小关系约为（）

A.n0=p0
B.n0＜p0
C.n0＞p0
D.n0=2p0
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