单项选择题
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm,则GaAs的禁带宽度为()
A.1.42J
B.1.42eV
C.1.42E-3J
D.1.42E-3eV
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A.1.42J
B.1.42eV
C.1.42E-3J
D.1.42E-3eV
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