多项选择题
A.开关速度快B.不存在少子存储效应C.反向泄漏电流较PN结二极管大D.多子和少子同时参与导电
A.半导体表面通过磨砂处理，形成大量的复合中心B.半导体表面高掺杂，利用隧道效应原理制备欧姆接触C.选择适当的金属，形成反阻挡层D.选择适当的金属，形成阻挡层
A.势垒区宽度等于电子的平均自由程B.势垒区宽度远小于电子的平均自由程C.不确定D.势垒区宽度远大于电子的平均自由程
A.势垒区宽度远小于电子的平均自由程B.势垒区宽度等于电子的平均自由程C.势垒区宽度远大于电子的平均自由程D.不确定
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