欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 电子技术 > 电路与模拟电子技术基础

单项选择题

‌测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.预夹断临界点
C.截止区
D.可变电阻区

点击查看答案&解析
上一题 目录 下一题

相关考题

单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.可变电阻区
B.截止区
C.预夹断临界点
D.恒流区（饱和区、放大工作区）
单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.截止区
B.预夹断临界点
C.饱和区（恒流区、放大工作区）
D.可变电阻区
多项选择题

如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有（）。

A.（c）
B.（d）
C.（b）
D.（a）
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题