半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用

A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高

A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置