问答题
设某1μmCMOS工艺的参数如下
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF/μm2，扩散区电容Cja=10-4pF/μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。
图2.10版图中，若P管的L/W=8，N管的L/W=1/3，试用表2.3给出的设计规则，求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。
