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单项选择题

真实逻辑门的延时与输入信号的翻转时间（），与逻辑门的负载电容（）。

A.有关，无关
B.无关，成线性关系
C.有关，成线性关系
D.有关，成非线性关系

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单项选择题
大扇入或非门的最大传播延时与它的扇入（）。

A.成正比
B.成平方关系
C.无关
D.成反比
单项选择题
CMOS反相器的传播延时随着电源电压升高而（）。

A.变长
B.变短
C.不变
单项选择题
一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）。

A.增大2倍
B.缩小2倍
C.不变
D.增大4倍
E.缩小4倍
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