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问答题
计算题
一截面为0.6cm
2
，长为1cm的n型GaAs样品，设μ
n
=8000cm
2
/V.s，n=10
15
cm
3
，试求该样品的电阻。
【参考答案】
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相关考题
问答题
设电子迁移率为0.1cm
2
/V.s，硅的电子有效质量m
cn
=0.26m
0
，如加以强度为10
4
V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。
问答题
在500g的硅单晶中掺有4.5×10
-5
g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μ
p
=400cm
2
/V.s），硅单密度为2.33g/cm
3
，硼的原子量为10.8）。
问答题
本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm
2
/V.s和500cm
2
/V.s，当掺入百万分之一的A
s
后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？
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