多项选择题
A.温度越高,速度越快B.压力越大,速率越快C.水汽氧化最慢,干氧氧化最快D.掺杂浓度越高,速率越快
A.被氧化了44微米的硅B.被氧化了56微米的硅C.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为144微米D.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为156微米
A.热氧化B.掺氯氧化C.干氧氧化D.化学沉积
A.作为器件的保护层和钝化层B.掺杂掩蔽膜C.隔离D.元器件的组成部分
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