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计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？
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问答题
确定在1200℃时，由SiCl
4
源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h
G
=5cm/s，表面反应速率常数为K
S
=10
7
exp（-1.9eV/kT）cm/s，C
G
=5*10
16
cm
-3
。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？
问答题
为什么使用外延生长难以得到突变结？
问答题
由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl
4
为原料的硅外延为什么随SiCl
4
浓度的增加会出现负的生长速率？
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