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全部科目 > 大学试题 > 理学 > 物理学 > 材料物理性能 > 半导体材料

多项选择题

关于硅中载流子激发的说法中，错误的有（）。

A.杂质激发主要发生在高温段
B.本征激发主要发生在低温段
C.绝对零度时不存在杂质激发
D.本征激发的载流子浓度是多子浓度

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多项选择题
半导体中的载流子浓度会收到哪些因素的影响？（）

A.复合过程与机理
B.材料的质量密度
C.材料本身
D.温度
E.掺杂浓度
多项选择题
导带电子运动到价带后（）。

A.可能释放出光子
B.可能激发晶格振动
C.带隙消失
D.也许会适当出热量
多项选择题
纯硅中掺杂一定浓度的硼元素之后（）。

A.费米能级降低
B.电子浓度增大
C.本征载流子浓度增大
D.空穴浓度增大
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