单项选择题
A.放大 B.抗干扰 C.延时 D.转换
A.GTO和GTR； B.TRIAC和IGBT； C.MOSFET和IGBT； D.SCR和MOSFET；
A.149.2℃； B.79.2℃； C.70℃； D.102℃；
A.选用低导通电阻的驱动管； B.提高驱动管的驱动信号的边沿陡度； C.提高开关频率； D.A和B及减小开关频率；
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