多项选择题
A.光刻耗费时间最多B.光刻耗费时间最少C.光刻决定了特征尺寸D.光刻成本最高
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B.打底膜、前烘、后烘、坚膜C.预烘、坚膜、前烘、后烘D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D.选择性氧化的掩蔽膜
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