多项选择题

关于离子注入掺杂，说法正确的有（）

A.离子注入对半导体晶格没有损伤
B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度
C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子
D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

点击查看答案&解析

上一题目录下一题

多项选择题

A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量
B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量
C.空穴运动的本质是价带中电子的运动
D.p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴

多项选择题

A.半导体硅具有金刚石型结构
B.每个硅晶胞中包含8个硅原子
C.硅晶胞中的所有硅原子都是等价的
D.位于硅晶胞8个顶角的硅原子与晶胞6个面心的硅原子等价

单项选择题

A.霍尔效应
B.电致发光
C.光生伏特效应
D.受激辐射效应