硅突变pn结N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，设pn结击穿时的最大电场为E_c=5×10⁵V/cm，计算pn结的击穿电压。

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问答题

硅pn结的杂质浓度，计算pn结的反向击穿电压，如果要使其反向电压提高到300V，n侧的电阻率应为多少？

问答题

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硅pn结的杂质浓度分别为N_D=3×10¹⁷cm^-3，N_A=1×10¹⁵cm^-3，n区和p区的宽度大于少数载流子扩散长度，τ_n=τ_p=1μs，结面积=1600μm²，取D_n=25cm²/s，D_p=13cm²/s，计算
（1）在T=300K下，正向电流等于1mA时的外加电压；
（2）要使电流从1mA增大到3mA，外加电压应增大多少？
（3）维持（1）的电压不变，当温度 T由300K上升到400K时，电流上升到多少？

硅突变pn结NA=5×1018cm-3，ND=1.5×1016cm-3，设pn结击穿时的最大电场为Ec=5×105V/cm，计算pn结的击穿电压。

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