单项选择题
A、氧化铁 B、氧化锰 C、硅酸盐 D、氧化铝
A、高接头 B、凹陷 C、高轨角 D、光斑
A、晶粒消除内应力 B、改变化学成分 C、消除外部缺陷 D、增加马氏体含量
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