欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路技术 > 集成电路技术综合练习

单项选择题

下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

A.截止区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区

点击查看答案
上一题 目录 下一题

相关考题

单项选择题
集成电路代工产业的缔造者是（）。‎

A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
单项选择题
FinFET等多种新结构器件的发明人是：（）。​

A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
单项选择题
（）年发明了世界上第一个点接触型晶体管。‌

A.1947
B.1948
C.1957
D.1958
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题