单项选择题

以下关于半导体能带特征描述正确的是（）

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

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单项选择题

A.晶体
B.非晶体
C.气体
D.玻璃体

单项选择题

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题

A.2/a³
B.1/a³
C.4/a³
D.4/a²