杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。

A. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面

A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动

A.杂质电离，木征激发
B.木征激发，杂质电离
C.施主电离，木征激发
D.木征激发，受主电离