（）存储器芯片比较适合存放保护定值。

A.必须分别引至控制室，并在控制室一点接地
B.在开关场并接后，合成一根后引至控制室接地
C.三次侧的ULn在开关场接地后引入控制室接N600，二次侧的Un单独引入控制室并接地

A.超前约110°
B.滞后约70°
C.滞后约110°

A.二次谐波制动比越大，躲过励磁涌流的能力越强
B.二次谐波制动比越大，躲过励磁涌流的能力越弱
C.二次谐波制动比越大，躲空投时不平衡电流的能力越强