单项选择题
A.石油B.天然气C.半导体芯片D.医疗设备
A.AlB.NC.PD.B
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C.无论哪种生长方式,6H-SiC都最容易生长D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构,耐高温高压C.P型难得D.本征为高阻半导体
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