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单项选择题
源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。
A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散
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单项选择题
未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
单项选择题
我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。
A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区
单项选择题
显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。
A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻
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