单项选择题
A.表面氧化 B.奥氏体晶界发生氧化或融化 C.奥氏体晶粒粗大 D.晶体发生畸形
A.效率更高 B.淬硬层深度更容易控制 C.工艺过程简单 D.设备简单
A.0.15-0.50 B.0.1-0.3 C.0.3-0.6 D.0.4-0.8
A.4 B.6 C.8 D.12
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